单晶硅基片加热器是中国科学院物理研究所的专利产品（专利号：ZL95224595.7）。它选用特定掺杂的单晶硅材料，经特殊加工而成。该加热器具有使用温度范围大，温度起伏小，使用方便等特点，用于在制备铁电、介电、超导、巨磁阻等各种固体薄膜时对基片加热。由于硅的化学性质十分稳定，所以它也能在氧和其它气体环境中工作。

本公司可以提供以下3种产品：1．单晶硅基片加热板； 2．单晶硅基片加热器 （包括加热板、连接板和银电极）； 3．加热系统（包括单晶硅加热器和测温、控温装置）。

主要技术指标:

一．单晶硅基片加热板

1. 使用温度范围：室温–960oC

2. 使用合适的温控仪，温度起伏：±2oC；

3. 可以制备单面、双面各种固体薄膜；

4. 备有25×55×2, 35×75×2; 45×10×2mm3等多种规格供选用，制备样品的尺寸为30×30mm2.

5. 适于在氧和其它气体环境中工作。

二．单晶硅基片加热器

1．它由一片加热板、两对连接板和二个银电极组成；

2．由于采用软连接，使单晶硅加热板长时间使用不易损坏。

三． 单晶硅基片加热系统

1.它由单晶硅基片加热器和测温、控温装置组成。 其中测温有热电偶测温和红外测温两种方式；控温有电流控温和热电偶控温两种方式。控温采用欧陆818控温表， 精度高，工作稳定，既可手动亦可程序自动控温；

2．温度范围：室温―960oC；

3．温度起伏：±2oC