激光分子束外延是近十年来出现的高制膜技术，它综合了脉冲激光沉积和分子束外延的特点和优势，可在高真空、真空条件下实现原位实时监控薄膜原子尺度层状外延生长。适用于多种有机、无机薄膜的制备，尤其适宜于用其它制膜设备和方法难以制备的高熔点、多元素（特别是含有气体元素时）、复杂层状结构的薄膜和超晶格的制备，并可同时进行激光与物质相互作用及成膜过程的物理、化学观测，为探索、开发新材料、新器件及相关基础研究提供了一个强有力的平台。
主要技术指标:
外延室:
直径500mm不锈钢球形腔体，装配有靶组件、基片台等部件及多种窗口/观察窗、接口、样品传递（磁传送杆）
外延室背底真空度：2～10-8 Pa以上
靶组件：
可装Φ70mm靶材4块，可制备2英寸外延基片
换靶定位精度：0.1°
靶材自传频率：0.5 ~ 5Hz
靶与基片间距:
调节范围：35－95mm
基片台：
基片旋转：0 ~ 360°, 0.2 ~ 5Hz
工作温度：850 °C
温度起伏：≤ ±0.1 °C
红外测温仪：
测温范围：300～1200°C
灵敏度：0.1°C
可测面积：Φ2mm
四极质谱仪：
可测分压：5x10-11Pa
质量范围：2~100amu
灵敏度：0.4/Pa(N)
二维激光扫描调节范围：
扫描角度：X,Y - 0° ~ 20°
扫描周期：X - 10 ~ 60s,Y - 30 ~ 120s
光束取向：0° ～ 360°
控制计算机：
可建立160个用户（每用户可有40个靶系统硬件组态子目录，每子目录有40个RECIPE工作目录，每RECIPE可有88个STAGE）
RHEED计算机数据采集和处理系统：
每次可采集存储图像8幅、强度振荡数据点60 000个
数据采样频率：16个/秒、8个/秒、3个/秒、1个/秒
活性气体装置：
工作气压范围： 1~ 5 x 10-3 Pa
原子氧浓度：≥10 %
适用范围：
适用于多种有机、无机薄膜的制备，尤其适宜于用其它制膜设备和方法难以制备的高熔点、多元素（特别是含有气体元素时）、复杂层状结构的薄膜和超晶格的制备，并可同时进行激光与物质相互作用及成膜过程的物理、化学观测，为探索、开发新材料、新器件及相关基础研究提供了一个强有力的平台。
